簡述磁阻傳感器及巨磁電阻傳感器工作原理

磁阻傳感器是由一長條鐵磁薄膜(如透磁合金、鎳鐵合金)制成的。用**半導體技術將這些薄膜熔制在硅片上。板的厚度有幾百埃(150-500)，寬度為幾十微米(10-50)，長度從幾百至幾千微米。

巨磁電阻傳感器是基于電子自旋相關散射效應，它是磁敏傳感器家族中的一枝新秀，具有靈敏度高、探測范圍寬、抗惡劣環境等優點，GMR巨磁電阻傳感器可利用半導體曝光和刻蝕工藝，使該元件集成化、小型化，利用各種不同的GMR薄膜材料和硬磁薄膜材料及軟磁薄膜材料可以作出不同用途的線性和數字型磁場傳感器，GMR磁場傳感器的性能價格比遠遠超過其它幾種磁場傳感器。

GMR巨磁電阻傳感器主要用于探測磁場、電流、位移、角速度等領域。

磁阻傳感器是由一長條鐵磁薄膜(如透磁合金、鎳鐵合金)制成的。用**半導體技術將這些薄膜熔制在硅片上。板的厚度有幾百埃(150-500)，寬度為幾十微米(10-50)，長度從幾百至幾千微米的,巨磁阻效應(GMR)是*近才發現的現象，它基于電子通過數層疊層中，非常薄鐵磁層和非磁性層(25-50埃)之間的界AMR面散射。這是由于磁阻效應與上述效應相比顯得大而如此命名。當兩個相鄰的鐵磁層有反向磁化強度時，電阻要高于它們在同一方向上的磁化強度矢量。

GMR是由法國的M. N. Baibich等人1988在年發現的，已成為重大**課程GMR。通過新興的技術我們有希望制造G出高靈敏度的小型傳感器。迄今為止，MR效應需要工作在高強度的磁場并伴有高分貝噪聲，這使得它不能應用于大范圍的傳感器產品中。電阻變化所需的磁場變10O化需從e到幾千Oe，而靈敏度尚未達MR到或磁通門裝置的靈敏度。但正繼續朝著開發更低磁場的方向發展。